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半导体 S8 · 挂线 2026-09-21 · 信号 4/9 unverified

长鑫 G5 DRAM 平台量产:11.95nm 半间距追平全球一线,存储涨价周期迎来供给侧变量

S8 线从「涨价与紧缺」进入「供给格局重构」:9/20 世界制造业大会(合肥)上长鑫科技宣布第五代 DRAM 技术平台(G5)量产——依托四重曝光把内存阵列有源区半间距微缩至 11.95nm、接近全球最顶尖量产平台,每片晶圆裸片产出较第四代提升至少 50%,两款 24Gb LPDDR5X(496/245 Ball)同步进入规模量产并开始装备国产旗舰。

这发生在存储通胀最猛烈的时点:瑞银 9/20 把 2026 全球 AI 资本开支预测上调至 9980 亿美元(同比近翻倍),并明确「内存成本急涨是核心驱动」;荣鼎估算 2026 中国 AI 基建开支 +103% 至 9320 亿元、2027 超 1.2 万亿;S8 基线(高性能内存约占 AI 服务器物料成本大头、苹果接受 2027Q1 报价 +30-40%)正在自我强化。

资本市场即时定价:长鑫科技今日盘中 +2.9% 报 57.15 元,较发行价累计 +560%(52 周低点 38.11 元)。影响链:G5 量产 → 国产存储对 HBM/DRAM 涨价的边际对冲 → LPDDR5X 24GB 大内存成为国产旗舰标配,反哺 S15 端侧大模型规格 → 全球存储议价格局从三星/海力士/美光三家向「3+N」演进。

对立观点:「接近全球最顶尖」为大会口径,G5 依赖四重曝光、成本与良率对比 1c DRAM 尚无第三方数据;长鑫上市以来 +560% 的市值已隐含大量预期,存储周期若在 2027 年转弱回撤空间同样巨大。

跟进:G5 平台 HBM 路线图与良率爬坡;长鑫在 2026Q4 合约价谈判中的份额变化;24Gb LPDDR5X 在旗舰机型的实际搭载率。

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